Оперативная память 4 GB 1 шт. Samsung M471A1G43DB0-CPB
0
Каталог товаров (12.12.2024)
Подписка на новости магазина

Подпишитесь на рассылку и получайте свежие новости и акции нашего магазина.

Заказчики интересовались этим товаром более 200 раз
KZTIN: 2870001116363
Дата добавления:
2022-08-28 09:17:47
Бренд
Samsung
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP)
15
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD)
15
Тайминг CAS Latency (CL)
15
Форм-фактор
so-dimm
Объем одного модуля
4 ГБ
Тактовая частота, МГЦ
2133
Единица измерения
Штука

Оформление доступно Заказчикам госзакупок

Внимание! Отображение цен на товар доступно только авторизованным пользователям.

Бренд Samsung
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP) 15
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Тайминг CAS Latency (CL) 15
Форм-фактор so-dimm
Объем одного модуля 4 ГБ
Тактовая частота, МГЦ 2133
Тип памяти DDR4
Напряжение, В 1.2
Объем памяти 4 ГБ
Количество контактов 260
Тайминг Activate to Precharge Delay (tRAS) 33
Пропускная способность, МБ/с 17000
Количество ранков 2
Вес, гр 20
Единица измерения Штука
Подходящие ЕНСТРУ Показать
Форм-фактор SO-DIMM
Тип памяти DDR4
Объем памяти 4 ГБ
Напряжение, В 1.2000
Количество ранков 2.0000
Объем одного модуля 4 ГБ
Количество контактов 260.0000
Тайминг CAS Latency (CL) 15
Тактовая частота, МГЦ 2133.0000
Пропускная способность, МБ/с 17000.0000
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD) 15.0000
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP) 15.0000
Тайминг Activate to Precharge Delay (tRAS) 33.0000

Оформление доступно Заказчикам госзакупок

Купить в один клик
Заполните данные для заказа
Запросить стоимость товара
Заполните данные для запроса цены
Запросить цену Запросить цену