Оперативная память 4 GB 1 шт. AMD R534G1601U1S-UO
0
Каталог товаров (19.09.2024)
Подписка на новости магазина

Подпишитесь на рассылку и получайте свежие новости и акции нашего магазина.

Заказчики интересовались этим товаром более 700 раз
KZTIN: 2870001117018
Дата добавления:
2020-11-09 02:48:43
Бренд
AMD
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP)
11
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Тайминг CAS Latency (CL)
11
Форм-фактор
dimm
Объем одного модуля
4 ГБ
Тактовая частота, МГЦ
1600
Единица измерения
Штука

Оформление доступно Заказчикам госзакупок

Внимание! Отображение цен на товар доступно только авторизованным пользователям.

Бренд AMD
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP) 11
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Тайминг CAS Latency (CL) 11
Форм-фактор dimm
Объем одного модуля 4 ГБ
Тактовая частота, МГЦ 1600
Тип памяти DDR3
Напряжение, В 1.5
Объем памяти 4 ГБ
Количество контактов 240
Тайминг Activate to Precharge Delay (tRAS) 28
Пропускная способность, МБ/с 12800
Вес, гр 20
Единица измерения Штука
Подходящие ЕНСТРУ Показать
Форм-фактор DIMM
Тип памяти DDR3
Объем памяти 4 ГБ
Напряжение, В 1.5000
Объем одного модуля 4 ГБ
Количество контактов 240.0000
Тайминг CAS Latency (CL) 11
Тактовая частота, МГЦ 1600.0000
Пропускная способность, МБ/с 12800.0000
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD) 11.0000
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP) 11.0000
Тайминг Activate to Precharge Delay (tRAS) 28.0000

Оформление доступно Заказчикам госзакупок

Купить в один клик
Заполните данные для заказа
Запросить стоимость товара
Заполните данные для запроса цены
Запросить цену Запросить цену