Оперативная память 2 GB 2 шт. OCZ OCZ3SOU16004GK
0
Каталог товаров (19.09.2024)
Подписка на новости магазина

Подпишитесь на рассылку и получайте свежие новости и акции нашего магазина.

Заказчики интересовались этим товаром более 100 раз
KZTIN: 2870001117285
Дата добавления:
2020-11-09 02:33:17
Бренд
OCZ
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP)
8
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD)
8
Тайминг CAS Latency (CL)
8
Форм-фактор
dimm
Объем одного модуля
2 Гб
Тактовая частота, МГЦ
1600
Единица измерения
Штука

Оформление доступно Заказчикам госзакупок

Внимание! Отображение цен на товар доступно только авторизованным пользователям.

Бренд OCZ
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP) 8
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD) 8
Тайминг CAS Latency (CL) 8
Форм-фактор dimm
Объем одного модуля 2 Гб
Тактовая частота, МГЦ 1600
Тип памяти DDR3
Напряжение, В 1.8
Объем памяти 4 ГБ
Количество контактов 240
Тайминг Activate to Precharge Delay (tRAS) 26
Пропускная способность, МБ/с 12800
Дополнительное описание поддержка 1.85В Extended Voltage Protection
Вес, гр 20
Единица измерения Штука
Подходящие ЕНСТРУ Показать
Форм-фактор DIMM
Тип памяти DDR3
Объем памяти 4 ГБ
Напряжение, В 1.8000
Объем одного модуля 2 Гб
Количество контактов 240.0000
Дополнительное описание поддержка 1.85В Extended Voltage Protection
Тайминг CAS Latency (CL) 8
Тактовая частота, МГЦ 1600.0000
Пропускная способность, МБ/с 12800.0000
Тайминг RAS to CAS Delay (tRCD) 8.0000
Тайминг ROW Precharge Delay (tRP) 8.0000
Тайминг Activate to Precharge Delay (tRAS) 26.0000

Оформление доступно Заказчикам госзакупок

Купить в один клик
Заполните данные для заказа
Запросить стоимость товара
Заполните данные для запроса цены
Запросить цену Запросить цену